一、技术背景
等离子体化学气相沉积是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激活能，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。

二、技术介绍
在该公司的产品和服务包括了设计和施工：
高真空系统：装备打造低压条件下10-8的特别操作。
镀膜系统：设备的薄膜沉积材料（绝缘体/导体/超导）
低温系统：装备及系统产生非常低的温度。
光刻工艺：图案化以微米特征尺寸的薄膜材料。
用途和性能：
此装置用于在金属、玻璃和陶瓷表面镀上高硬耐磨纳米结构涂层、光学涂层以及装饰涂层。

三、项目阶段
技术合作，寻求代理权

四、应用范围

镀膜，涂层行业